Uno de los foros internacionales más prestigiosos en simulación de procesos llega a Granada

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La Conferencia Internacional sobre Simulación de Procesos y Dispositivos de Semiconductores (SISPAD, por sus siglas en inglés) tendrá lugar en el Palacio de Congresos de Granada del 6 al 8 de septiembre. La rectora de la UGR, Pilar Aranda, inaugurará este simposio en un acto que se celebrará el martes, 6 de septiembre, a las 8:50 horas, en la Sala Andalucía del Palacio de Congresos.

SISPAD proporciona uno de los foros internacionales más prestigiosos para la presentación de resultados de investigación y desarrollo de vanguardia en el campo de la simulación de procesos y dispositivos electrónicos. Es una de las conferencias más antiguas dedicadas al diseño tecnológico asistido por computadora (TCAD) y al modelado avanzado de nuevos dispositivos semiconductores y estructuras nanoelectrónicas. El simposio se celebra anualmente y de manera alternativa en Asia, Europa y América.

La simulación y modelado de dispositivos y procesos de fabricación es un eslabón clave en la cadena de desarrollo de los dispositivos nanoelectrónicos, elemento crucial en el progreso de la sociedad, Internet de las cosas, inteligencia artificial, realidad virtual, computación cuántica y e-health, entre otros.

Todas estas especialidades requieren electrónica de altas prestaciones, de bajo consumo y bajo coste para su óptimo funcionamiento. La simulación permite entender los dispositivos electrónicos y ayuda a mejorar su comportamiento y prestaciones.

Hoy en día no se concibe la fabricación de ningún dispositivo si previamente no se ha simulado su funcionamiento, características y proceso de fabricación. La Universidad de Granada tiene un amplio recorrido en el campo de la simulación de dispositivos. Es reconocida internacionalmente por esta actividad y sus investigaciones son ampliamente citadas. La UGR ha contribuido a mejorar y desarrollar nuevas técnicas de simulación en colaboración con investigadores de Escocia, Austria, Suiza, Estados Unidos, Francia e Italia; y ha participado en proyectos internacionales de Europa, Estados Unidos, Japón, Corea y Taiwán, aportando experiencia y conocimiento.

Cada año, la llegada de SISPAD significa una nueva oportunidad para los investigadores en TCAD, ya que reúne anualmente a los principales expertos de los cinco continentes, procedentes tanto de la academia como de la industria, y donde comparten sus resultados, pero también sus inquietudes y marcan las líneas futuras de actuación.

Organizan este congreso el Centro de Investigación en Tecnologías de la Información y las Comunicaciones (CITIC) y la Facultad de Ciencias de la UGR, junto con la Agencia Estatal de Investigación del Ministerio de Ciencia e Innovación y la Junta de Andalucía. Participan como patrocinadores Global TCAD Solutions, Silvaco, Huawei, Samsung, Synopsys y Electron Devices Society.